1НТ251
Номер ТУ
И93.456.000ТУ/АЕНВ.432140.716ТУ
Покрытие
золото, никель
Тип корпуса
401.14-5М, 401.14-5НБ
Цена по запросу
- Технические характеристики
Транзисторные матрицы типа 1НТ251(А)/1НТ251(А)/КМ состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структур n-p-n переключательных транзисторов, предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре.
Основные электрические параметры
|
Наименование параметра, единица измерения |
Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Температура среды, °С | Т | -60 | 125 |
| Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В, | UКБMAX | – | 45 |
| Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В, RЭБ≤ 1 кОм, | UКЭMAX | – | 45 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база, В | UЭБMAX | – | 4 |
| Максимальный постоянный ток коллектора, мА | IKMAX | – | 400 |
| Максимальный импульсный ток коллектора, мА | IKИMAX | – | 800 |
| Максимальная суммарная постоянная раcсеиваемая мощность коллекторов, Вт | РКMAX | – | 0,4 |
| Максимальная импульсная рассеиваемая мощность коллекторов, Вт | РКИMAX | – | 10,0 |