175УВ2БТМК
Номер ТУ
АЕЯР.431000.527-02ТУ
Покрытие
золото, никель
Тип корпуса
401.14-5М, 401.14-5.07НБ
Цена по запросу
- Технические характеристики
Микросхемы 175УВ1АБТМК предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре в качестве универсальной усилительной схемы.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра, единица измерения | Буквенное обозначение | Предельно допустимая норма | Предельная норма | ||
| не менее | не более | не менее | не более | ||
| Температура среды, °С | T | -60 | 125 | -60 | 125 |
| Напряжение питания, В | Ucc | 5,4 | 6,6 | 5 | 10 |
| Входное напряжение по выводам 3 и 6, В | U1(3, 6) | – | – | – | 1 |
| Синфазное входное напряжение на выводах 3, 6, В | U1 | – | – | -3 | 3 |
| Напряжение между выводами 4 и 1, 5 и 1, В | U0(4-1) U0(5-1) | – | 6,6 | – | 9,0 |
| Ток коллектор-эмиттер эмиттерного повторителя, мА | Iкэ | – | 3 | – | 8 |
| Сопротивление нагрузки по выводам 4,5, кОм | RL | 0,1 | – | 0,1 | – |